化学气相沉积
CVD技术使我们能够在精确控制的实验室条件下,逐原子培育出纯净度和净度俱佳的钻石晶体。
工艺
CVD工作原理
化学气相沉积通过在真空室中使用微波等离子体或热丝激活分解富碳气体(通常是甲烷)来创造钻石。
释放的碳原子像雨一样落在薄钻石种子上,逐层堆积,这个过程可能需要数周才能生产出我们需要的大板。
结果是具有卓越光学纯度和非常高净度等级潜力的钻石——正是我们单晶戒指所需。
CVD工艺步骤
1
种子准备
将薄钻石种子放入生长室
2
气体引入
以精确比例引入甲烷和氢气
3
等离子体激活
微波能量创造等离子体,打破分子键
4
碳沉积
游离碳原子以钻石结构键合到种子上
5
生长监控
24/7监控3-5周直到达到所需尺寸
优势
我们使用CVD的原因
卓越纯净
CVD生产IIa型钻石——最纯净的形式,占天然钻石不到2%。
卓越净度
受控环境最大限度减少内含物,通常达到IF到VVS净度等级。
大型平板
CVD擅长培育宽平晶体——非常适合切割成戒指形状。
无色成果
CVD始终如一地生产D-F颜色等级——最理想的无色范围。
受控环境
监控和调整每个参数以获得最佳晶体生长。
可持续
与HPHT相比能耗更低,零采矿影响。
规格
技术参数
生长条件
- 温度
- 700-1000°C
- 压力
- 1-200 Torr
- 气体混合物
- CH₄/H₂
- 激活
- 微波等离子体
输出质量
- 生长速率
- ~0.1mm/hour
- 典型净度
- IF - VVS2
- 颜色范围
- D - G
- 钻石类型
- IIa型